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BFT62

更新时间： 2024-02-22 23:32:38

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描述
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package.

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BFT62 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.36	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-205AD
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	60 MHz

BFT62 数据手册

BFT62

Dimensions in mm (inches).

Bipolar PNP Device in a

8.51 (0.34)

9.40 (0.37)

Hermetically sealed TO39

Metal Package.

7.75 (0.305)

8.51 (0.335)

6.10 (0.240)

6.60 (0.260)

Bipolar PNP Device.

V_CEO= 20V

0.89

(0.035)

max.

12.70

(0.500)

min.

0.41 (0.016)

0.53 (0.021)

dia.

I_C= 1A

5.08 (0.200)

typ.

2.54

(0.100)

All Semelab hermetically sealed products

can be processed in accordance with the

requirements of BS, CECC and JAN,

0.74 (0.029)

1.14 (0.045)

JANTX, JANTXV and JANS specifications

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

45°

TO39 (TO205AD)

PINOUTS

1 – Emitter

2 – Base

3 – Collector

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Units

V_CEO*

I_C(CONT)

h_FE

@ 6/0.15 (V_CE/ I_C)

f_t

60M

P_D

0.8

* Maximum Working Voltage

This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact sales@semelab.co.uk.

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

Generated

1-Aug-02

Semelab plc.

Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

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与BFT62相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BFT62M0JF08	VISHAY	获取价格	RESISTOR, CARBON FILM, 6 W, 5 %, 62000000 ohm, CHASSIS MOUNT
BFT65	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50MA I(C) \| MACRO-T
BFT66	INFINEON	获取价格	EXTREMELY LOW NOISE NPN SILICON BROADBAND TRANSISTORS
BFT67	INFINEON	获取价格	EXTREMELY LOW NOISE NPN SILICON BROADBAND TRANSISTORS
BFT69	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-18
BFT70	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-18
BFT71	TI	获取价格	BFT71
BFT75	INFINEON	获取价格	NPN SILICON RF BROADBAND TRANSISTOR
BFT75M0JF08	VISHAY	获取价格	RESISTOR, CARBON FILM, 6 W, 5 %, 75000000 ohm, CHASSIS MOUNT
BFT79	SEME-LAB	获取价格	Bipolar PNP Device