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BFT93

更新时间： 2024-09-23 22:32:11

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英飞凌 - INFINEON		晶体放大器晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	62K
描述
PNP Silicon RF Transistor (For low distortion broadband amplifiers up to 1 GHz at collector currents from 2mA up to 20mA)

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BFT93 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.64
最大集电极电流 (IC)：	0.035 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

BFT93 数据手册

BFT 93

PNP Silicon RF Transistor

• For low distortion broadband amplifiers up to

1 GHz at collector currents from 2mA up

to 20mA

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!

Type

Marking Ordering Code

Pin Configuration

Package

BFT 93

X1s

Q62702-F1063

1 = B

2 = E

3 = C

SOT-23

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CBO

EBO

°C

Base current

Total power dissipation

tot

T ≤ 58 °C

300

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

150

- 65 ... + 150

stg

Thermal Resistance

Junction - soldering point

thJS

≤ 305

K/W

1) T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.

Semiconductor Group

Dec-12-1996

12 3 4 5 6 7

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