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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-236 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 7.32 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.025 A | 集电极-发射极最大电压： | 15 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 0.3 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | CECC | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 5000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BFS17,215 | NXP |
类似代替  |
BFS17 - NPN 1GHz wideband transistor TO-236 3-Pin |
|
| BFT93,215 | NXP |
类似代替 |
BFT93 - PNP 5 GHz wideband transistor TO-236 3-Pin |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFT92AW | NXP |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| BFT92E6327 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, PNP |
|
| BFT92E6433 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, PNP, |
|
| BFT92Q62702-F1062 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND |
|
| BFT92T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 25MA I(C) | SOT-23 |
|
| BFT92TRL | NXP |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| BFT92TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
|
| BFT92W | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon RF Transistor (For broadband amplifiers up to 2GHz at collector currents up to |
|
| BFT92W | NXP |
获取价格 |
PNP 4 GHz wideband transistor |
|
| BFT92W,115 | NXP |
获取价格 |
BFT92W - PNP 4 GHz wideband transistor SC-70 3-Pin |
|
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