BFT92W

更新时间： 2024-09-23 22:32:11

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英飞凌 - INFINEON		晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
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描述
PNP Silicon RF Transistor (For broadband amplifiers up to 2GHz at collector currents up to 20mA)

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BFT92W 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.025 A
基于收集器的最大容量：	0.9 pF	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz	Base Number Matches：	1

BFT92W 数据手册

BFT 92W

PNP Silicon RF Transistor

• For broadband amplifiers up to 2GHz

at collector currents up to 20mA

• Complementary type: BFR 92W (NPN)

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!

Type

Marking Ordering Code

Pin Configuration

Package

BFT 92W

W1s

Q62702-F1681

1 = B

2 = E

3 = C

SOT-323

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CBO

EBO

°C

Base current

Total power dissipation

tot

T ≤ 105 °C

200

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

150

- 65 ... + 150

stg

Thermal Resistance

Junction - soldering point

thJS

≤ 225

K/W

1) T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.

Semiconductor Group

Dec-11-1996

12 3 4 5 6 7

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