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BFT93W

更新时间: 2024-09-24 22:32:11
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恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
24页 131K
描述
PNP 4 GHz wideband transistor

BFT93W 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-70
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.72Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY最大集电极电流 (IC):0.05 A
集电极-发射极最大电压:12 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:0.3 W
最大功率耗散 (Abs):0.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4000 MHzBase Number Matches:1

BFT93W 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BFT93W  
PNP 4 GHz wideband transistor  
March 1994  
Product specification  
Supersedes data of November 1992  
File under Discrete Semiconductors, SC14  
Philips Semiconductors  

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