BFT51F

更新时间： 2024-01-23 03:42:33

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描述
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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BFT51F 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SIP
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	10 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	2000 MHz	Base Number Matches：	1

BFT51F 数据手册

BFT51F

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE TO- 126

The ASI BFT51 is Designed for

High Frequency Amplifier Applications.

MAXIMUM RATINGS

500 mA

20 V

I_C

V_CE

P_DISS

T_J

3.0 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +175 °C

20 K/W

T_STG

θ_JC

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

I_C= 10 mA

I_C= 5.0 mA

I_C= 1.0 mA

V_CE= 10 V

V_CE= 5.0 V

BV_CER

BV_CBO

BV_EBO

I_CES

R_BE= 100 Ω

3.0

100

µA

I_C= 100 mA

H_FE

---

I_C= 300 mA

f_t

V_CE= 5.0 V

V_CB= 5.0 V

I_C= 300 mA f = 100 MHz

f = 1.0 MHz

1.0

2.0

4.2

5.8

GHz

C_cb

C_C

f = 1.0 MHz

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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