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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.72 | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BF961A | VISHAY |
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N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode |
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| BF961B | VISHAY |
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N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode |
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| BF963 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 50MA I(D) | SOT-103 |
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| BF964 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode |
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| BF964S | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode |
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| BF964SA | TEMIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| BF964SB | TEMIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| BF965 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-103 |
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| BF966 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-103 |
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| BF966A | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET, FET RF Small Signal |
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