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BF621

更新时间: 2024-11-04 22:27:31
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恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管高压
页数 文件大小 规格书
8页 51K
描述
PNP high-voltage transistors

BF621 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-89
包装说明:PLASTIC, SC-62, TO-243, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.2
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.05 A基于收集器的最大容量:1.6 pF
集电极-发射极最大电压:300 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JEDEC-95代码:TO-243AA
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):60 MHz
VCEsat-Max:0.8 VBase Number Matches:1

BF621 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BF621; BF623  
PNP high-voltage transistors  
1999 Apr 21  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Apr 09  
 

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