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BF621TA

更新时间： 2024-09-15 19:58:15
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1页 33K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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BF621TA 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.21
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：1.6 pF集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.6 V
Base Number Matches：1

BF621TA 数据手册

  
SOT89 PNP SILICON PLANAR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
BF621  
ISSUE 3 – MARCH 2001  
✪
FEATURES  
C
*
High breakdown and low saturation voltage  
APPLICATIONS  
*
*
Suitable for video output stages in TV sets  
Switching power supplies  
COMPLEMENTARY TYPE –  
BF620  
E
C
PARTMARKING DETAIL –  
DF  
B
SOT89  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
-300  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-300  
V
-5  
V
Peak Pulse Current  
-100  
mA  
mA  
W
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
-50  
Ptot  
-1  
Tj:Tstg  
-65 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX.  
UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-300  
-300  
-5  
V
V
V
IC=-10µA, IE=0  
IC=-1mA, IB=0*  
IE=-100µA, IC=0  
Breakdown Voltage  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
Collector Cut-Off Current  
Colector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
-10  
-20  
nA  
µA  
V
V
CB=-200V, IE=0  
CB=-200V, IE=0 †  
ICER  
-50  
-10  
nA  
µA  
VCE=-200V, RBE=2.7KΩ  
VCE=-200V, RBE=2.7KΩ †  
IEBO  
-10  
µA  
VEB=-5V, IC=0  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(sat)  
-0.6  
V
IC=-30mA, IB=-5mA*  
Base-Emitter Saturation Voltage VBE(sat)  
-0.9  
V
IC=-20mA, IB=-2mA*  
IC=-25mA, VCE=-20V*  
Static Forward  
hFE  
50  
Current Transfer Ratio  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
fT  
100 Typical  
0.8 Typical  
MHz IC=-10mA, VCE=-10V  
f=100MHz  
Cobo  
pF  
VCB=-30V, f=1MHz  
†Tamb=150°C  
*Measured under pulsed conditions.  
For typical characteristics graphs see FMMTA92 datasheet.  
TBA  
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