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BF517E6327HTSA1

更新时间： 2024-02-18 11:25:19

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英飞凌 - INFINEON		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	516K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Silicon, NPN

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BF517E6327HTSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.7
最大集电极电流 (IC)：	0.025 A	基于收集器的最大容量：	0.75 pF
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.28 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	2000 MHz
Base Number Matches：	1

BF517E6327HTSA1 数据手册

BF517

NPN Silicon RF Transistor

• For amplifier and oscillator

applications in TV-tuners

• Pb-free (RoHS compliant) package

ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!

Type

BF517

Marking

LRs

Pin Configuration

2 = E 3 = C

Package

SOT23

1 = B

Maximum Ratings at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Peak collector current

Total power dissipation

CEO

CBO

EBO

2.5

280

°C

tot

T ≤ 55 °C

150

-65 ... 150

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

Stg

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Symbol

Value

≤ 340

Unit

K/W

thJS

For calculation of R

please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)

thJA

2011-12-12

12 3 4 5 6 7

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