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BF543

更新时间： 2024-02-27 10:22:48

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5页	101K
描述
Silicon N Channel MOS FET Triode (For RF stages up to 300 MHz preferably in FM applications)

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BF543 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	0.03 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BF543 数据手册

Silicon N Channel MOS FET Triode

BF 543

Preliminary Data

● For RF stages up to 300 MHz

preferably in FM applications

● IDSS = 4 mA, gfs = 12 mS

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions!

Package¹⁾

SOT-23

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

BF 543

LDs

Q62702-F1372

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Drain-source voltage

Drain current

Gate-source peak current

Total power dissipation, TA ≤ 60 ˚C

Storage temperature range

Channel temperature

Ambient temperature range

± IGSM

Ptot

200

Tstg

Tch

– 55 … + 150 ˚C

150

– 55 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

Rth JA

≤ 450

K/W

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on alumina 15 mm × 16.7 mm × 0.7 mm.

07.94

Semiconductor Group

12 3 4 5

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BF543 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BF543	VISHAY	功能相似	N-Channel MOS-Fieldeffect Triode, Depletion Mode

与BF543相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BF543B	VISHAY	获取价格	Transistor,
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BF543E6433	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C
BF544	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 30MA I(D) \| TO-92
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BF545A/0TRL	YAGEO	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
BF545A/0TRL13	YAGEO	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET