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BF545A

更新时间: 2024-02-20 14:29:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 103K
描述
N-channel silicon junction field-effect transistors

BF545A 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.16Is Samacsys:N
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:30 V
FET 技术:JUNCTION最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BF545A 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BF545A; BF545B; BF545C  
N-channel silicon junction  
field-effect transistors  
Product specification  
1996 Jul 29  
Supersedes data of April 1995  
File under Discrete Semiconductors, SC07  

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