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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.66 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 65 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 260 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BF536TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| BF536TRL | YAGEO |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
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| BF536TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| BF543 | VISHAY |
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N-Channel MOS-Fieldeffect Triode, Depletion Mode |
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| BF543 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET Triode (For RF stages up to 300 MHz preferably in FM application |
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| BF543A | VISHAY |
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Transistor, |
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| BF543B | VISHAY |
获取价格 |
Transistor, |
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| BF543B | TEMIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| BF543E6327 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| BF543E6433 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
|
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