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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> BF245A
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BF245A

更新时间： 2024-09-12 22:39:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器
页数 文件大小 规格书
3页 26K
描述
N-Channel Amplifiers

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BF245A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.2
Samacsys Description：N channel JFET,BF245A 2mA Idss 30Vdss配置：SINGLE
FET 技术：JUNCTION最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BF245A 数据手册

 浏览型号BF245A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BF245A的Datasheet PDF文件第3页 
BF245A/BF245B/BF245C  
N-Channel Amplifiers  
•
•
This device is designed for VHF/UHF amplifiers.  
Sourced from process 50.  
TO-92  
1
1. Gate 2. Source 3. Drain  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Units  
V
V
V
Drain-Gate Voltage  
Gate-Source Voltage  
Forward Gate Current  
DG  
-30  
V
GS  
D
I
10  
mA  
GF  
P
Total Device Dissipation @T =25°C  
350  
mW  
A
Derate above 25°C  
2.8  
mW/°C  
°C  
T
T
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ 150  
J, STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
V
Gate-Source Breakdown Voltage  
V
V
= 0, I = 1µA  
-30  
V
V
(BR)GSS  
GS  
DS  
DS  
G
Gate-Source  
BF245A  
BF245B  
BF245C  
= 15V, I = 200µA  
-0.4  
-1.6  
-3.2  
-2.2  
-3.8  
-7.5  
D
V
(off)  
Gate-Source Cut-off Voltage  
Gate Reverse Current  
V
V
= 15V, I = 10nA  
-0.5  
-8  
-5  
V
GS  
DS  
GS  
D
I
= -20V, V = 0  
nA  
GSS  
GS  
On Characteristics  
I
Zero-Gate Voltage Drain Current  
DSS  
BF245A  
BF245B  
BF245C  
V
V
= 15V, V = 0  
2
6
12  
6.5  
15  
25  
mA  
GS  
GS  
GS  
On Characteristics  
g
Common Source Forward  
Transconductance  
= 15V, V = 0, f = 1KHz  
3
6.5  
mmhos  
fs  
GS  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2003  
123

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