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BDT93

更新时间： 2024-11-20 08:51:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	118K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BDT93 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BDT91/93/95

DESCRIPTION

·DC Current Gain- h_FE= 20~200@ I_C= 4A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 60V(Min)- BDT91; 80V(Min)- BDT93;

100V(Min)- BDT95

·Complement to Type BDT92/94/96

APPLICATIONS

·Designed for use in audio output stages and general

amplifier and switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

BDT91

BDT93

BDT95

BDT91

BDT93

BDT95

V_CBO

Collector-Base Voltage

100

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

100

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

T_J

℃

Junction Temperature

150

-65~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

℃/W

Thermal Resistance,Junction to Case

Thermal Resistance,Junction to Ambient

1.4

R_{th j-c}

R_{th j-a}

isc Website：www.iscsemi.cn

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