BDV64

更新时间： 2024-01-06 16:45:28

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	225K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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BDV64 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.19
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JEDEC-95代码：	TO-218
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
Base Number Matches：	1

BDV64 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

BDV64/A/B/C

DESCRIPTION

·Collector Current -I_C= -12A

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= -2.0V(Max.)@ I_C= -5A

·Complement to Type BDV65/A/B/C

APPLICATIONS

·Designed for audio output stages and general amplifier

and switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

-60

UNIT

BDV64

BDV64A

BDV64B

BDV64C

BDV64

-80

Collector-Base

Voltage

V_CBO

-100

-120

-60

BDV64A

BDV64B

BDV64C

-80

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

-100

-120

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

-12

-15

Base Current-Continuous

-0.5

125

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

P_C

3.5

T_J

Junction Temperature

150

℃

Storage Temperature Range

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

1.0

UNIT

℃/W

Thermal Resistance,Junction to Case

Thermal Resistance,Junction to Ambient

R_{th j-c}

35.7

R_{th j-a}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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