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BD826-10

更新时间: 2024-11-04 20:32:59
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恩智浦 - NXP /
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3页 76K
描述
TRANSISTOR 1 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202, BIP General Purpose Power

BD826-10 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.76
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):63
JEDEC-95代码:TO-202JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):75 MHzBase Number Matches:1

BD826-10 数据手册

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