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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.44 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | JEDEC-95代码： | TO-202 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 8 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 75 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD830-10 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202, BIP General Purpose Power |
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| BD830-10 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
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| BD830-16 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202, BIP General Purpose Power |
|
| BD8301MUV | ROHM |
获取价格 |
High-effciency Step-up/down Switching Regulator with Built-in Power MOSFET |
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| BD8301MUV-E2 | ROHM |
获取价格 |
High-effciency Step-up/down Switching Regulator with Built-in Power MOSFET |
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| BD8303MUV | ROHM |
获取价格 |
Step-up/down, High-efficiency Switching Regulators (Controller type) |
|
| BD8303MUV-E2 | ROHM |
获取价格 |
Step-up/down, High-efficiency Switching Regulators (Controller type) |
|
| BD8305MUV | ROHM |
获取价格 |
High-effciency Step-up/down Switching Regulators with Built-in Power MOSFET |
|
| BD8305MUV-E2 | ROHM |
获取价格 |
High-effciency Step-up/down Switching Regulators with Built-in Power MOSFET |
|
| BD830-6 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
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