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BD828

更新时间: 2024-11-04 20:32:59
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 76K
描述
1A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202

BD828 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.46
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25JEDEC-95代码:TO-202
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:8 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):75 MHz
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

BD828 数据手册

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