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BD829

更新时间: 2024-11-03 22:27:27
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 64K
描述
NPN power transistors

BD829 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.44Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25JEDEC-95代码:TO-202
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:8 W最大功率耗散 (Abs):8 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

BD829 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BD825; BD829  
NPN power transistors  
Product specification  
1998 May 29  
Supersedes data of 1997 Jun 20  
File under Discrete Semiconductors, SC04  

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