BD829

更新时间： 2024-02-23 13:59:19

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率双极晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	64K
描述
NPN power transistors

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BD829 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.44	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JEDEC-95代码：	TO-202	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

BD829 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

NPN power transistors

BD825; BD829

CHARACTERISTICS

T_j= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

I_E= 0; V_CB= 30 V

MIN. TYP. MAX. UNIT

I_CBO

collector cut-off current

−

100

µA

I_E= 0; V_CB= 30 V; T_j= 125 °C

I_C= 0; V_EB= 5 V

V_CE= 2 V; see Fig.2

I_C= 5 mA

I_EBO

h_FE

emitter cut-off current

DC current gain

100

−

I_C= 150 mA

−

165

−

I_C= 500 mA

−

V_CEsat

V_BE

f_T

collector-emitter saturation voltage I_C= 500 mA

−

500

base-emitter voltage

transition frequency

I_C= 500 mA; V_CE= 2 V

I_C= 50 mA; V_CE= 5 V; f = 100 MHz

−

250

−

MHz

MBH729

160

handbook, full pagewidth

= 2 V

120

−1

(mA)

Fig.2 DC current gain; typical values.

1998 May 29

1 2 345 6 7 8

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