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BD791

更新时间： 2024-02-05 17:37:00
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 109K
描述
POWER TRANSISTOR SILICON

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BD791 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TO-225AA
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.31最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JEDEC-95代码：TO-225AA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：40 MHz
Base Number Matches：1

BD791 数据手册

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*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
CEO(sus)  
100  
—
—
C
B
Collector Cutoff Current  
(V = 50 Vdc, I = 0)  
I
µAdc  
CEO  
100  
CE  
B
Collector Cutoff Current  
I
CEX  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 100 Vdc, V  
= 1.5 Vdc)  
—
—
1.0  
0.1  
µAdc  
mAdc  
BE(off)  
= 1.5 Vdc, T = 125 C)  
= 50 Vdc, V  
BE(off)  
C
Emitter Cutoff Current (V  
= 6.0 Vdc, I = 0)  
I
—
1.0  
µAdc  
EB  
C
EBO  
ON CHARACTERISTICS (1)  
DC Current Gain  
h
FE  
—
(I = 200 mAdc, V  
= 3 0 Vdc)  
40  
20  
10  
5.0  
250  
—
—
C
CE  
= 3.0 Vdc)  
(I = 1.0 Adc, V  
C
CE  
CE  
CE  
(I = 2.0 Adc, V  
= 3.0 Vdc)  
= 3.0 Vdc)  
C
(I = 4.0 Adc, V  
C
—
Collector Emitter Saturation Voltage  
(I = 500 mAdc, I = 50 mAdc)  
V
Vdc  
CE(sat)  
—
—
—
—
0.5  
1.0  
2.5  
3.0  
C
B
(I = 1.0 Adc, I = 100 mAdc)  
C
C
B
B
B
(I = 2.0 Adc, I = 200 mAdc)  
(I = 4.0 Adc, I = 800 mAdc)  
C
Base–Emitter Saturation Voltage (I = 2.0 Adc, I = 200 mAdc)  
V
—
—
1.8  
1.5  
Vdc  
Vdc  
C
B
BE(sat)  
Base–Emitter On Voltage (I = 200 mAdc, V  
C
= 3.0 Vdc)  
V
BE(on)  
CE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Current–Gain — Bandwidth Product  
f
40  
—
MHz  
pF  
T
(I = 100 mAdc, V  
C
= 10 Vdc, f = 10 MHz)  
CE  
Output Capacitance  
C
ob  
(V  
CB  
= 10 Vdc, I = 0, f = 0.1 MHz)  
C
—
50  
—
Small–Signal Current Gain  
(I = 200 mAdc, V = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)  
h
10  
—
fe  
C
CE  
* Indicates JEDEC Registered Data.  
(1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle  
2.0%.  
500  
+ 30 V  
V
CC  
300  
200  
T
V
= 25°C  
J
25 µs  
R
= 30 V  
C
CC  
/I = 10  
+ 11 V  
0
I
C B  
SCOPE  
100  
R
B
70  
50  
– 9.0 V  
t , t 10 ns  
51  
D
1
t
r
30  
20  
r
f
DUTY CYCLE = 1.0%  
t
@ V  
= 5.0 V  
– 4 V  
d
BE(off)  
R
AND R VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS  
B
C
10  
D
MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg  
1
7.0  
MBR340 USED ABOVE I  
100 mA  
100 mA  
B
5.0  
0.04  
MSD6100 USED BELOW I  
0.06 0.1  
0.2  
0.4 0.6  
1.0  
2.0  
4.0  
B
FOR PNP TEST CIRCUIT, REVERSE ALL POLARITIES.  
I
, COLLECTOR CURRENT (AMP)  
C
Figure 2. Switching Time Test Circuit  
Figure 3. Turn–On Time  
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
123456

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