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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.41 | 最大集电极电流 (IC)： | 12 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 75 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD712 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| BD712 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
|
| BD712 | STMICROELECTRONICS |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| BD712 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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| BD7150NUV | ROHM |
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Audio Amplifier, 0.085W, 1 Channel(s), 1 Func, PDSO10, 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, VSON-10 |
|
| BD7150NUV-E2 | ROHM |
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Headphone Amplifier Designed for 0.93V Low Voltage Operation |
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| BD71631QWZ | ROHM |
获取价格 |
BD71631QWZ是一款支持2V以内低电压单节电池的充电控制IC。由于可以通过外置电阻设 |
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| BD7168GU-E | ROHM |
获取价格 |
USB Switching Charger IC Integrating a USB Adapter Automatic Detection Function |
|
| BD7168GU-E2 | ROHM |
获取价格 |
USB Switching Charger IC Integrating a USB Adapter Automatic Detection Function |
|
| BD71801GWL | ROHM |
获取价格 |
Power Management LSI for Mobile Phone |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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