BD711

更新时间： 2024-02-10 07:41:09

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3页	121K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BD711 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.67	最大集电极电流 (IC)：	12 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	140 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

BD711 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BD707 BD709 BD711

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·The BD707 and BD711are respectively

complement to type BD708 and BD712

APPLICATIONS

·Intented for use in power linear

and switching applications.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

BD707

BD709

BD711

BD707

BD709

BD711

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

100

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

100

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current-DC

Collector current-Pulse

Base current

Open collector

P_T

T_j

Total dissipation

T_C=25℃

℃

Junction temperature

Storage temperature

150

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

MAX

UNIT

R_{th j-c}

1.67

℃/W

12 3

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