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BD650CT PDF预览

BD650CT

更新时间： 2024-01-16 04:31:30
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强茂 - PANJIT 肖特基二极管瞄准线功效
页数 文件大小 规格书
2页 46K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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BD650CT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.64
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：750JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BD650CT 数据手册

 浏览型号BD650CT的Datasheet PDF文件第2页 
BD640CT~BD6200CT  
SURFACE MOUNT SCHOTTKYBARRIER RECTIFIERS  
Unit : inch (mm)  
TO-251AB  
6.0 Amperes  
40 to 200 Volts  
CURRENT  
VOLTAGE  
FEATURES  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-O  
.264(6.7)  
.248(6.3)  
.098(2.5)  
.082(2.1)  
.024(0.6)  
.016(0.4)  
• For surface mounted applications  
• Low profile package  
.216(5.5)  
.200(5.1)  
• Built-in strain relief  
• Low power loss, High efficiency  
• High surge capacity  
• For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling, and  
polarity protection applications  
• High temperature soldering guaranteed:260oC/10 seconds at terminals  
.071(1.8)  
.051(1.3)  
.032(0.8)  
.012(0.3)  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
.02(0.5)  
.09 .09  
MECHANICALDATA  
(2.3) (2.3)  
• Case: TO-251AB molded plastic  
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026  
• Polarity: As marking  
• Standard packaging: 16mm tape (EIA-481)  
• Weight: 0.0104 ounces, 0.297grams.  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
BD640CT  
BD645CT BD650CT BD660CT BD680CT BD690CT BD6100CT BD6150CT BD6200CT  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
UNITS  
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
40  
45  
31.5  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
90  
63  
90  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
Maximum RMS Voltage  
VRMS  
28  
40  
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
VDC  
80  
100  
Maximum Average Forward Current (See Figure 1)  
IF(AV)  
6.0  
75  
A
Peak Forward Surge Current :8.3ms single half sine-wave  
superimposed on rated load(JEDEC method)  
IFSM  
A
Maximum Forward Voltage at 3.0A per leg  
VF  
0.70  
0.75  
0.80  
0.90  
V
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
T
T
J
J
=25O  
=100O  
C
0.05  
20  
IR  
mA  
C
Typical Thermal Resistance  
RθJC  
5
O C  
/ W  
O C  
-55 to +150  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
-65 to +175  
Note: Both Bonding and Chip structure are available.  
STAD-APR.30.2009  
PAGE . 1  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD650-S BOURNS

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
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 		Peripheral Driver, 2 Driver, MOS, PDSO8
BD6510F-E2 ROHM

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 		Peripheral Driver, 2 Driver, MOS, PDSO8,

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