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BD650-S PDF预览

BD650-S

更新时间： 2024-01-01 20:57:47
品牌 Logo 应用领域
伯恩斯 - BOURNS 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 97K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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BD650-S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.64
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：750JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BD650-S 数据手册

 浏览型号BD650-S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD650-S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BD650-S的Datasheet PDF文件第4页 
BD646, BD648, BD650, BD652  
PNP SILICON POWER DARLINGTONS  
●
Designed for Complementary Use with  
BD645, BD647, BD649 and BD651  
TO-220 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
●
●
●
62.5 W at 25°C CaseTemperature  
8 A Continuous Collector Current  
1
2
3
B
C
E
Minimum h of 750 at 3V, 3 A  
FE  
This series is obsolete and  
not recommended for new designs.  
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
MDTRACA  
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
BD646  
BD648  
BD650  
BD6
BD646  
BD648  
BD650  
D652  
-80  
-100  
-120  
-140  
-60  
Collector-base voltage (IE = 0)  
Collector-emitter voltage (IB = 0)  
VCBO  
V
-80  
VCEO  
V
-100  
-120  
-5  
Emitter-base voltage  
VEBO  
IC  
ICM  
IB  
V
A
Continuous collector current  
Peak collector current (see Note 1)  
Continuous base current  
-8  
-12  
A
-0.3  
A
Continuous device dissipation at (or bel25castemperature (see Note 2)  
Continuous device dissipation at (elo5°C e air temperature (see Note 3)  
Unclamped inductive load eny (sNot
Ptot  
Ptot  
62.5  
2
W
W
mJ  
°C  
°C  
°C  
2
½LIC  
50  
Operating junction temperaturnge  
Tj  
Tstg  
TL  
-65 to +150  
-65 to +150  
260  
Storage temperature range  
Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds  
NOTES: 1. This value applies for tp ≤ 0.3 ms, duty cycle ≤ 10%.  
2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.4 W/°C.  
3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.  
4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, IB(on) = -5 mA, RBE = 100 Ω,  
VBE(off) = 0, RS = 0.1 Ω, VCC = -20 V.  
MAY 1993 - REVISED SEPTEMBER 2002  
Specifications are subject to change without notice.  
1
1234

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BD650-S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BDX54C FAIRCHILD

功能相似

 Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications Power Liner and Switching Applications
TIP137 STMICROELECTRONICS

功能相似

 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
TIP107 STMICROELECTRONICS

功能相似

 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

与BD650-S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD651 POINN

获取价格

 		NPN SILICON POWER DARLINGTONS
BD651 COMSET

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 		SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
BD651 SAVANTIC

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 		Silicon NPN Power Transistors
BD651 BOURNS

获取价格

 		NPN SILICON POWER DARLINGTONS
BD651 ISC

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 		isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
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 		Trans Darlington NPN 120V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
BD6510F ROHM

获取价格

 		High-Side Switch
BD6510F-E1 ROHM

获取价格

 		Peripheral Driver, 2 Driver, MOS, PDSO8
BD6510F-E2 ROHM

获取价格

 		Peripheral Driver, 2 Driver, MOS, PDSO8,
BD6512F ROHM

获取价格

 		High-Side Switch

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