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BD651

更新时间： 2024-02-20 09:14:25
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伯恩斯 - BOURNS /
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5页 106K
描述
NPN SILICON POWER DARLINGTONS

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BD651 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.74
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：120 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：750JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BD651 数据手册

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BD645, BD647, BD649, BD651  
NPN SILICON POWER DARLINGTONS  
●
Designed for Complementary Use with  
BD646, BD648, BD650 and BD652  
TO-220 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
●
●
●
62.5 W at 25°C CaseTemperature  
8 A Continuous Collector Current  
1
2
3
B
C
E
Minimum h of 750 at 3V, 3 A  
FE  
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
MDTRACA  
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
BD645  
BD647  
BD649  
BD651  
BD645  
BD647  
BD649  
BD651  
80  
100  
Collector-base voltage (IE = 0)  
Collector-emitter voltage (IB = 0)  
VCBO  
V
120  
140  
60  
80  
VCEO  
V
100  
120  
Emitter-base voltage  
VEBO  
IC  
ICM  
IB  
5
V
A
Continuous collector current  
Peak collector current (see Note 1)  
Continuous base current  
8
12  
A
0.3  
62.5  
A
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)  
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)  
Unclamped inductive load energy (see Note 4)  
Ptot  
Ptot  
W
W
mJ  
°C  
°C  
°C  
2
2
½LIC  
50  
Operating junction temperature range  
Tj  
Tstg  
TL  
-65 to +150  
-65 to +150  
260  
Storage temperature range  
Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds  
NOTES: 1. This value applies for tp ≤ 0.3 ms, duty cycle ≤ 10%.  
2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.4 W/°C.  
3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.  
4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, IB(on) = 5 mA, RBE = 100 Ω,  
BE(off) = 0, RS = 0.1 Ω, VCC = 20 V.  
V
MAY 1993 - REVISED SEPTEMBER 2002  
Specifications are subject to change without notice.  
1
12345

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BD651 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD245-S BOURNS

功能相似

 Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
BD245B-S BOURNS

功能相似

 Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD6510F ROHM

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 		High-Side Switch
BD6510F-E1 ROHM

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BD6510F-E2 ROHM

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 		Peripheral Driver, 2 Driver, MOS, PDSO8,
BD6512F ROHM

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BD6512F_11 ROHM

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