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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, SOP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 7.89 |
| 内置保护： | OVER CURRENT; THERMAL; UNDER VOLTAGE | 驱动器位数： | 1 |
| 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 长度： | 4.9 mm | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 输出电流流向： | SINK |
| 标称输出峰值电流： | 0.6 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Peripheral Drivers |
| 最大供电电压： | 5.5 V | 最小供电电压： | 3 V |
| 标称供电电压： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 断开时间： | 20 µs |
| 接通时间： | 6000 µs | 宽度： | 3.9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BD652 | ISC | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor |
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| BD652 | SAVANTIC | Silicon PNP Power Transistors |
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| BD652 | COMSET | SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS |
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| BD652 | BOURNS | PNP SILICON POWER DARLINGTONS |
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| BD652 | TRSYS | PNP SILICON POWER DARLINGTONS |
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| BD652 | POINN | PNP SILICON POWER DARLINGTONS |
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