BD544B

更新时间： 2024-11-26 06:41:55

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	122K
描述
isc Silicon PNP Power Transistors

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BD544B 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

BD544B 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistors

BD544/A/B/C

DESCRIPTION

·70 W at 25°C Case Temperature

·Complement to Type BD543/A/B/C

·8 A Continuous Collector Current

APPLICATIONS

·Designed for high power audio amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

-40

UNIT

BD544

BD544A

BD544B

BD544C

BD544

-60

V_CBO

Collector-Base Voltage

-80

-100

-40

BD544A

BD544B

BD544C

-60

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-80

-100

-5

V_EBO

I_C

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

-8

I_CM

-10

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

T_J

Junction Temperature

150

-65~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

℃/W

Thermal Resistance,Junction to Case

4.17

R_{th j-c}

Thermal Resistance,Junction to Ambient

62.5

R_{th j-a}

isc Website：www.iscsemi.cn

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