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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BD544C
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BD544C

更新时间： 2024-11-03 04:09:15
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伯恩斯 - BOURNS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 104K
描述
PNP SILICON POWER TRANSISTORS

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BD544C 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.57
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：70 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

BD544C 数据手册

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BD544, BD544A, BD544B, BD544C  
PNP SILICON POWER TRANSISTORS  
●
Designed for Complementary Use with the  
BD543 Series  
TO-220 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
●
●
●
●
70 W at 25°C Case Temperature  
8 A Continuous Collector Current  
10 A Peak Collector Current  
1
2
3
B
C
E
Customer-Specified Selections Available  
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
MDTRACA  
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
BD544  
-40  
BD544A  
BD544B  
BD544C  
BD544  
-60  
Collector-base voltage (IE = 0)  
Collector-emitter voltage (IB = 0)  
VCBO  
V
-80  
-100  
-40  
BD544A  
BD544B  
BD544C  
-60  
VCEO  
V
-80  
-100  
Emitter-base voltage  
VEBO  
IC  
-5  
V
A
Continuous collector current  
Peak collector current (see Note 1)  
-8  
-10  
ICM  
Ptot  
Ptot  
TA  
A
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)  
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)  
Operating free air temperature range  
70  
W
W
°C  
°C  
°C  
°C  
2
-65 to +150  
-65 to +150  
-65 to +150  
260  
Operating junction temperature range  
Tj  
Storage temperature range  
Tstg  
TL  
Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds  
NOTES: 1. This value applies for tp ≤ 0.3 ms, duty cycle ≤ 10%.  
2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.56 W/°C.  
3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.  
JUNE 1973 - REVISED SEPTEMBER 2002  
Specifications are subject to change without notice.  
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD545 BOURNS

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BD545 POINN

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 		NPN SILICON POWER TRANSISTORS
BD545 ISC

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BD545 NJSEMI

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BD5451EFV ROHM

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