BD543C

更新时间： 2024-11-26 06:41:55

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描述
Silicon NPN Power Transistors

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BD543C 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BD543/A/B/C

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type BD544/A/B/C

·8 A continuous collector current

·10 A peak Collector current

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

BD543

BD543A

BD543B

BD543C

BD543

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

100

BD543A

BD543B

BD543C

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

100

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

I_CM

P_C

T_j

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

-65~150

T_stg

12 3

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