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BD377-6 PDF预览

BD377-6

更新时间： 2024-11-02 19:58:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
7页 132K
描述
2 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126

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BD377-6 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：140 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BD377-6 数据手册

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BD375/377/379  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
Complement to BD376, BD378 and BD380 respectively  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
: BD375  
: BD377  
: BD379  
50  
75  
100  
V
V
V
CBO  
Collector-Emitter Voltage : BD375  
45  
60  
80  
V
V
V
CEO  
EBO  
: BD377  
: BD379  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
5
V
A
I
2
C
I
I
3
A
CP  
B
1
25  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
T
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD375  
: BD377  
: BD379  
I
I
= 100mA, I = 0  
45  
60  
80  
V
V
V
C
C
B
BV  
Collector-Base  
: BD375  
: BD377  
: BD379  
= 100µA, I = 0  
50  
75  
100  
V
V
V
CBO  
E
Breakdown Voltage  
I
I
Collector Cut-off Current  
: BD375  
: BD377  
: BD379  
V
V
V
= 45V, I = 0  
2
2
2
µA  
µA  
µA  
CBO  
CB  
CB  
CB  
E
= 60V, I = 0  
E
= 80V, I = 0  
E
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
100  
375  
µA  
EBO  
EB  
C
h
h
V
V
= 2V, I = 0.15A  
40  
20  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= 2V, I = 1A  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
Turn ON Time  
I
= 1A, I = 0.1A  
1
V
V
CE  
C
B
(on)  
V
V
I
= 2V, I = 1A  
1.5  
BE  
CE  
C
t
t
= 30V, I = 0.5A  
50  
ns  
ns  
ON  
OFF  
CC  
C
= - I = 0.05A  
Turn OFF Time  
B1  
B2  
500  
R = 60Ω  
L
* Pulse Test: PW=350µs, duty Cycle=2% Pulsed  
h
Classification  
FE  
Classification  
6
10  
63 ~ 160  
16  
100 ~ 250  
25  
h
40 ~ 100  
150 ~ 375  
FE1  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234567

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与BD377-6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD3776STU FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
BD378 FAIRCHILD

获取价格

 		Medium Power Linear and Switching Applications
BD378 ISC

获取价格

 		isc Silicon PNP Power Transistors
BD378 NJSEMI

获取价格

 		Trans GP BJT PNP 60V 2A
BD37810 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
BD378-10 TI

获取价格

 		BD378-10
BD378-10 FAIRCHILD

获取价格

 		2 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
BD378-10 ISC

获取价格

 		Transistor
BD37810STU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
BD37816 FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/

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