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BD378-16

更新时间: 2024-01-21 10:39:14
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三星 - SAMSUNG /
页数 文件大小 规格书
2页 97K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

BD378-16 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.69
最大集电极电流 (IC):2 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-609代码:e0
最高工作温度:140 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):15 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

BD378-16 数据手册

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