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BD37925

更新时间： 2024-11-02 21:22:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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BD37925 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.92
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：150
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：140 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BD37925 数据手册

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BD375/377/379  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
Complement to BD376, BD378 and BD380 respectively  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
: BD375  
: BD377  
: BD379  
50  
75  
100  
V
V
V
CBO  
Collector-Emitter Voltage : BD375  
45  
60  
80  
V
V
V
CEO  
EBO  
: BD377  
: BD379  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
5
V
A
I
2
C
I
I
3
A
CP  
B
1
25  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
T
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD375  
: BD377  
: BD379  
I
I
= 100mA, I = 0  
45  
60  
80  
V
V
V
C
C
B
BV  
Collector-Base  
: BD375  
: BD377  
: BD379  
= 100µA, I = 0  
50  
75  
100  
V
V
V
CBO  
E
Breakdown Voltage  
I
I
Collector Cut-off Current  
: BD375  
: BD377  
: BD379  
V
V
V
= 45V, I = 0  
2
2
2
µA  
µA  
µA  
CBO  
CB  
CB  
CB  
E
= 60V, I = 0  
E
= 80V, I = 0  
E
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
100  
375  
µA  
EBO  
EB  
C
h
h
V
V
= 2V, I = 0.15A  
40  
20  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= 2V, I = 1A  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
Turn ON Time  
I
= 1A, I = 0.1A  
1
V
V
CE  
C
B
(on)  
V
V
I
= 2V, I = 1A  
1.5  
BE  
CE  
C
t
t
= 30V, I = 0.5A  
50  
ns  
ns  
ON  
OFF  
CC  
C
= - I = 0.05A  
Turn OFF Time  
B1  
B2  
500  
R = 60Ω  
L
* Pulse Test: PW=350µs, duty Cycle=2% Pulsed  
h
Classification  
FE  
Classification  
6
10  
63 ~ 160  
16  
100 ~ 250  
25  
h
40 ~ 100  
150 ~ 375  
FE1  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD379-25 SAMSUNG

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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
BD379-25 NSC

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,80V V(BR)CEO,2A I(C),TO-126
BD37925STU FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
BD37931E ETC

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 		SINGLE PHASE MOULDED BRIDGES 0,8 AMP TO 1,5 AMP
BD37933 ETC

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 		SINGLE PHASE MOULDED BRIDGES 0,8 AMP TO 1,5 AMP
BD3796 FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
BD379-6 FAIRCHILD

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 		2 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
BD379-6 SAMSUNG

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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
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