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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.69 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 140 °C | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD37825 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| BD378-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| BD378-25 | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,2A I(C),TO-126 |
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| BD378-25 | ISC |
获取价格 |
Transistor |
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| BD378-6 | ISC |
获取价格 |
Transistor |
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| BD378-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD378-6 | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,2A I(C),TO-126 |
|
| BD379 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| BD379 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Medium Power Linear and Switching Applications |
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| BD379 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistors |
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