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BD238

更新时间： 2024-01-02 18:39:52

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
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3页	118K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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BD238 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.72	JESD-609代码：	e0
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BD238 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

BD234 BD236 BD238

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type BD233/235 /237

APPLICATIONS

·For medium power linear and

switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-45

UNIT

BD234

BD236

BD238

BD234

BD236

BD238

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

-60

-100

-45

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-60

-80

V_EBO

I_C

Emitter -base voltage

Collector current (DC)

Collector current-Peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Open collector

-5

-2

I_CM

P_C

T_j

-6

T_C=25℃

℃

150

-65~150

T_stg

12 3

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