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BD2320UEFJ-LA

更新时间： 2023-09-03 20:25:02

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罗姆 - ROHM		生产线栅极驱动二极管驱动器
页数	文件大小	规格书
21页	1127K
描述
该产品是能够保证向工业设备市场长期供应的产品，而且是非常适用于这些应用领域的产品。BD2320UEFJ-LA是一款100V耐压的高低边栅极驱动器，可驱动使用自举方式的外置Nch-FET。该产品内置100V耐压的自举二极管，输入逻辑电源电压支持3.3V和5.0V。作为保护功能，高边和低边都配有欠压锁定电路（UVLO）。本IC是从系列型号BD2320EFJ-LA以提高生产效率为目的变更生产线的型号，在新项目选型时，建议选择该型号，在技术规格书中的保证特性并没有差异。此外，由于文档和设计模型等也没有差异，因此除非另有说明，ROHM将公开BD2320EFJ-LAE2的数据。

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BD2320UEFJ-LA 数据手册

BD2320EFJ-LA BD2320UEFJ-LA

Electrical Characteristics (Unless otherwise specified Ta = -40 °C to +125 °C, V_CC= 12.0 V, V_BS= 12.0 V, V_VS

= V_GND, HO = open, LO = open)

Parameter

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Conditions

Circuit Current

Offset supply Leakage Current

Quiescent V_BSSupply Current

Operating V_BSSupply Current

Quiescent V_CCSupply Current

Operating V_CCSupply Current

UVLO

I_LK

μA

V_VB= V_VS= 100 V

I_QBS

I_OBS

I_QCC

I_OCC

160

V_LIN= V_HIN= 0 V

f = 500 kHz

2.75

5.50

120

6.00

11.00

240

μA

V_LIN= V_HIN= 0 V

f = 500 kHz

3.00

12.00

V_CCUVLO Rising Threshold

V_CCUVLO Falling Threshold

V_CCUVLO Hysteresis

V_CCUVR

V_CCUVF

V_CCUVH

V_BSUVR

V_BSUVF

V_BSUVH

4.6

4.2

6.0

5.5

0.5

5.4

4.9

0.5

7.4

6.8

V_BSUVLO Rising Threshold

V_BSUVLO Falling Threshold

V_BSUVLO Hysteresis

4.1

3.7

6.7

6.1

Input

Logic “1” Input Threshold Voltage

Logic “0” Input Threshold Voltage

Input Threshold Hysteresis

Input Pulldown Resistance

Output

V_IH

V_IL

1.50

0.80

0.3

2.15

1.25

0.9

2.80

1.70

V_INHYS

R_IN

100

150

kΩ

High Level Output Voltage, V_CC- V_LO

V_VB- V_HO

V_CC= 12 V, V_VB= 12 V,

V_VS= 0 V, Io = 10 mA

V_CC= 12 V, V_VB= 12 V,

V_VS= 0 V, Io = 10 mA

V_OH

V_OL

I_O+

Low Level Output Voltage, V_LO

GND, V_HO- V_VS

Output High Short Circuit Pulse

3.5

4.5

V_LO, V_HO= 0 V

V_LO, V_HO= 12 V

Current^{(Note 6)}

Output Low Short Circuit Pulse

Current^{(Note 6)}

I_O-

Bootstrap Diode

Bootstrap Diode Forward Voltage1

Bootstrap Diode Forward Voltage2

V_F1

V_F2

R_D

0.26

0.95

5.0

0.53

1.90

10.0

1.16

3.80

20.0

I_{VCC VB}

= 100 μA

= 100 mA

Bootstrap Diode Dynamic Resistance

= 80 mA, 100 mA

(Note 6) Not 100 % tested.

www.rohm.com

TSZ22111 • 15 • 001

TSZ02201-0Q2Q0A800840-1-2

29.Mar.2022 Rev.002

4/18

1 2 345 6 7...21

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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