Datasheet > BD137

BD137

更新时间： 2024-02-17 07:55:11

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	118K
描述
Silicon NPN Power Transistors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BD137 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SIP
包装说明：	TO-126, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.13
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	190 MHz
Base Number Matches：	1

BD137 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BD135 BD137 BD139

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·High current

·Complement to type BD136/138/140

APPLICATIONS

·Driver stages in high-fidelity amplifiers

and television circuits

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

BD135

BD137

BD139

BD135

BD137

BD139

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

100

V_CEO

Collector-emitter voltage

100

V_EBO

I_C

Emitter -base voltage

Collector current (DC)

Collector current-Peak

Base current-Peak

Open collector

1.5

I_CM

I_BM

P_t

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

_mb≤70℃

℃

T_j

150

T_stg

T_amb

-65~150

Operating ambient temperature

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

100

UNIT

K/W

R_{th j-a}

Thermal resistance from junction to ambient

R_{th j-mb}

Thermal resistance from junction to mounting base

12 3

下载PDF

与BD137相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BD137_15	UTC	NPN POWER TRANSISTORS	获取价格
BD13710	JCST	Transistor	获取价格
BD13710	FAIRCHILD	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti	获取价格
BD137-10	INFINEON	NPN SILICON TRANSISTORS	获取价格
BD137-10	COMSET	Transistor	获取价格
BD137-10	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti	获取价格