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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.7 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 基于收集器的最大容量： | 6 pF | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-18 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 125 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 800 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 150 ns | VCEsat-Max： | 0.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCY65E | INFINEON |
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npn silicon planar transistors |
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| BCY65E | MICRO-ELECTRONICS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18 |
|
| BCY65EAD | ZETEX |
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Transistor |
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| BCY65EADWP | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.015 X 0.015 INCH |
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| BCY65EIX | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18 |
|
| BCY65EPK | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S |
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| BCY65EPL | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S |
|
| BCY65EPM1TA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S |
|
| BCY65EPM1TC | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S |
|
| BCY65EPQ | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S |
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