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BCX70KL99Z PDF预览

BCX70KL99Z

更新时间： 2024-10-28 14:49:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 46K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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BCX70KL99Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.58
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：125 MHz
最大关闭时间（toff）：800 ns最大开启时间（吨）：150 ns
Base Number Matches：1

BCX70KL99Z 数据手册

 浏览型号BCX70KL99Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BCX70KL99Z的Datasheet PDF文件第3页 
BCX70K  
3
General Purpose Transistor  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
45  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
45  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
200  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
350  
C
T
Storage Temperature  
-55 ~ 150  
STG  
• Refer to KST3904 for graphs  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
45  
Max.  
Units  
BV  
I =2.0mA, I =0  
V
V
CEO  
EBO  
C
B
BV  
I =1.0µA, I =0  
5
E
C
I
I
V
=32V, V =0  
20  
20  
nA  
nA  
CES  
EBO  
CE  
EB  
BE  
Emitter Cut-off Current  
V
=4V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
V
V
V
=5V, I =10µA  
100  
380  
100  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
=5V, I =2.0mA  
630  
C
=1V, I =50mA  
C
V
V
V
(sat)  
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I =10mA, I =0.25mA  
0.35  
0.55  
V
V
CE  
BE  
BE  
C
B
I =50mA, I =1.25mA  
C
B
I =10mA, I =0.25mA  
0.6  
0.7  
0.85  
1.05  
V
V
C
B
I =50mA, I =1.25mA  
C
B
Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =2.0mA, V =5V  
0.55  
0.75  
V
MHz  
pF  
C
CE  
f
I =10mA, V =5V, f=100MHz  
125  
T
C
CE  
C
V
=10V, I =0, f=1MHz  
4.5  
6
ob  
CB  
E
NF  
Noise Figure  
V
=5V, I =0.2mA  
dB  
CE  
C
R =2KΩ, f=1KHz  
S
t
t
Turn On Time  
Turn Off Time  
I =10mA, I =1.0mA  
150  
800  
ns  
ns  
ON  
C
B1  
V
=3.6V, I =1.0mA  
B2  
OFF  
BB  
R =R =5KΩ, R =990Ω  
1
2
L
Marking  
AK  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
123

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