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BCX70KLT3 PDF预览

BCX70KLT3

更新时间： 2024-10-28 14:48:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
26页 492K
描述
200mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN

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BCX70KLT3 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.65
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：125 MHz最大关闭时间（toff）：800 ns
最大开启时间（吨）：150 nsBase Number Matches：1

BCX70KLT3 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
3
1
BASE  
2
3
EMITTER  
1
2
MAXIMUM RATINGS  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
45  
45  
Vdc  
Emitter–Base Voltage  
5.0  
200  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
C
mAdc  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
P
(2)  
Alumina Substrate,  
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
BCX70GLT1 = AG; BCX70JLT1 = AJ; BCX70KLT1 = AK  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
45  
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 2.0 mAdc, I = 0)  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 1.0 Adc, I = 0)  
V
5.0  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 32 Vdc)  
= 32 Vdc, T = 150°C)  
—
—
20  
20  
nAdc  
Adc  
A
Emitter Cutoff Current  
(V = 4.0 Vdc, I = 0)  
I
—
20  
nAdc  
EBO  
EB  
C
1. FR–5 = 1.0  
2. Alumina = 0.4  
0.75 0.062 in.  
0.3 0.024 in. 99.5% alumina.  
2–216  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
1234567...26

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