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BCX70KT116 PDF预览

BCX70KT116

更新时间： 2024-10-28 19:20:31
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 416K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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BCX70KT116 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not RecommendedReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.53其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.2 A基于收集器的最大容量：4.5 pF
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：380JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：125 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

BCX70KT116 数据手册

 浏览型号BCX70KT116的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BCX70KT116的Datasheet PDF文件第3页 
NPN small signal transistor  
BCX70J, K  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) Ideal for switching and AF amplifier applications.  
2) Complements the BCX71.  
BCX70J,K  
2.9  
0.4  
5  
( )  
3
Packaging specifications  
(
)
(
)
2
1
Package  
Taping  
T116  
0.95  
0.9
15  
Type  
Code  
1.9  
Basic ordering unit (pieces)  
3000  
(1)Emitter  
(2)Base  
Each lead has same dimensions  
BCX70J, K  
Abateymbol : GAJ (BCX70J)  
GAK (BCX70K)  
(3)Collector  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
45  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
45  
V
5
V
IC  
0.2  
A
0.2  
0.35  
15
W
W
°C  
Collector power dissipation  
P
C
∗
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
Tstg  
−55 to
°C  
Mounted on a 7×5×0.6 mm CERAMIC SUBSTRATE  
∗
Electrical characteristics (Ta=25
Parameter  
Smbol Min.  
Typ
−
x.  
Unit  
Conditions  
Collector-emitter breaoltage BVCEO  
45  
−
V
V
I
C
= 2mA  
Emitter-base breakdowltage  
Collector-emitter cutoff currnt  
Emitter-base ff current  
BVEBO  
−
−
I
C
= 10μA  
I
CES  
−
−
0.1  
μA  
V
CE= 45V  
EB= 4V  
−
0.1  
μA  
V
V
V
V
V
CE
−
−
0.35  
0.55  
0.85  
1.05  
V
I
I
I
I
C
/I  
/I  
/I  
/I  
B
= 10mA/ 0.25mA  
Collector saturation voltage  
Basmitter saturation voltage  
CE(sat)2  
−
−
V
V
V
V
C
B
= 50mA/ 1.25mA  
= 10mA/ 0.25mA  
= 50mA/ 1.25mA  
BE(sat)1  
BE(sat)2  
−
−
C
C
B
B
−
−
e-emitter voltage  
V
BE(on)  
0.55  
250  
90  
125  
−
−
−
−
−
−
−
−
0.75  
630  
−
V
V
V
V
V
V
V
CE= 5V, I  
CE= 5V, I  
CE= 5V, I  
CE= 5V, I  
C= 2mA  
C= 2mA  
C= 50mA  
hFE1  
hFE2  
fT  
DC current transfer ratio  
−
Transition frequency  
Collector output capacitance  
Noise figure  
−
MHz  
pF  
E
= 10mA, f=100MHz  
=0A  
= 200μA, f=1kHz,Rg=2kΩ  
CB= 45V, Ta=150°C  
Cob  
NF  
4.5  
6
CB= 10V, f=1MHz, I  
CE= 5V, I  
E
−
dB  
C
Collector-base cutoff current  
I
CBO  
−
20  
μA  
This parts are classified into the categories below and given hFE item.  
Part. No BCX70J BCX70K  
h
FE1  
FE2  
250 to 460 380 to 630  
90 or more 125 or more  
h
www.rohm.com  
2011.11 - Rev.B  
c
○ 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1/2  
123

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BCX70KT116 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BCX70KT216 ROHM

类似代替

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOL
BCX70JT116 ROHM

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BCX70KT216 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BCX70K-TAPE-13 NXP

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 		TRANSISTOR 200 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BCX70K-TAPE-7 NXP

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