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BCX55T

更新时间： 2024-09-26 11:11:51

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安世 - NEXPERIA		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	233K
描述
60 V, 1 A NPN power bipolar transistorsProduction

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BCX55T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SC-62, SOT-89, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.62	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	63
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.1 W
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	155 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

BCX55T 数据手册

BCX55T series

60 V, 1 A NPN power bipolar transistors

Rev. 1 — 22 August 2019

Product data sheet

1. Product profile

1.1. General description

NPN power transistors in a medium power SOT89 (SC-62) flat lead Surface-Mounted Device

(SMD) plastic package.

Table 1. Product overview

Type number

Package

Nexperia

SOT89

PNP complement

JEDEC

BCX55T

SC-62

BCX52T

BCX55-10T

BCX55-16T

BCX52-10T

BCX52-16T

1.2. Features and benefits

•

High collector current capability I_Cand I_CM

Three current gain selections

High power dissipation capability

AEC-Q101 qualified

1.3. Applications

•

Linear voltage regulators

MOSFET drivers

Low-side switches

Power management

Amplifiers

1.4. Quick reference data

Table 2. Quick reference data

T_amb= 25 °C unless otherwise specified.

Symbol

V_CEO

I_C

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

collector-emitter voltage

collector current

open base

I_CM

peak collector current

single pulse; t_p≤ 1 ms

12 3 4 5 6 7...12

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与BCX55T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BCX55-T	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243, SOT-89, 3 PIN, BIP Gen
BCX55T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| SOT-89
BCX55-T1	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL
BCX55-T1BF	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL
BCX55-T1BG	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL
BCX55-T2	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL
BCX55-T2BF	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL
BCX55-T2BG	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL
BCX55TA	DIODES	获取价格	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT89
BCX55TA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon