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BCX55U

更新时间: 2024-11-06 14:55:59
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先科 - SWST 晶体管
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5页 798K
描述
小信号晶体管

BCX55U 数据手册

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BCX55U  
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25  
)
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
Unit  
V
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current  
60  
60  
V
5
V
1
0.5  
A
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Ptot  
W
Tj  
150  
Tstg  
- 55 to + 150  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
250  
Unit  
Thermal Resistance from Junction Ambient 1)  
1) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.  
®
1 / 5  
Dated: 19/07/2023 Rev: 02  

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