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BCX55TRL

更新时间: 2024-09-25 21:17:43
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国巨 - YAGEO 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 132K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

BCX55TRL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.08外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):130 MHzVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

BCX55TRL 数据手册

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