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BCX55

更新时间： 2024-02-02 04:54:38
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美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 286K
描述
NPN Plastic-Encapsulate Transistors

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BCX55 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.08外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：130 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

BCX55 数据手册

 浏览型号BCX55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BCX55的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
BCX55  
BCX55-10  
BCX55-16  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
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TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
NPN  
ꢀꢁ Power Dissipation: PCM=0.5W (Tamb=25R)  
ꢀꢁ Collector Current: ICM=1.0A  
ꢀꢁ Collector-Base Voltage: V(BR)CBO=60V  
ꢀꢁ Marking : BCX55=BE, BCX55-10=BG, BCX55-16=BM  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
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·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Maximum Ratings  
SOT-89  
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ꢀ
ꢀ
Symbol  
Rating  
Value  
60  
60  
Unit  
V
V
ꢀ
A
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
K
ꢀ
B
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V(BR)EBO  
IC  
PC  
TJ  
TSTG  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Current DC  
Collector Power Dissipation  
Junction TemperatureRange  
5
V
A
W
OC  
OC  
ꢀ
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
1.0  
ꢀ
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ꢀ ꢀ  
0.5  
-55 to +150  
-55 to +150  
ꢀ
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E
ꢀ
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C
Storage Temperature  
Range  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀꢀ  
ꢀ
Electrical Characteristics @ 25ꢂC Unless Otherwise Specified  
Typ  
ꢀ
D
ꢀ
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ꢀ
ꢀ
Symbol  
Parameter  
Min  
Max Units  
ꢀ
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ꢀ
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G
H
OFF CHARACTERISTICS  
ꢀ
ꢀ
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J
ꢀ
ꢀ
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F
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100uA, IE=0)  
V(BR)CBO  
60  
60  
5
---  
---  
---  
---  
---  
---  
V
V
V
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=10mA, IB=0)  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=10uA, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=30V, IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5.0V, IC=0)  
DC Current Gain  
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1
2
3
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ꢀ
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ICBO  
IEBO  
uA  
---  
---  
---  
---  
0.1  
0.1  
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uA  
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1:Base  
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hFE(1)  
ꢀ
2:Collector  
(VCE=2.0V, IC=150mA)  
BCX55  
ꢀ
3:Emitter  
63  
63  
100  
---  
---  
---  
250  
160  
250  
---  
ꢀ
ꢀ
BCX55-10  
BCX55-16  
ꢀ
hFE(2)  
hFE(3)  
VCE(sat)  
VBE(on)  
fT  
DC Current Gain  
(VCE=2.0V, IC=5.0mA)  
DC Current Gain  
ꢀ
40  
25  
---  
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1.55  
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ꢇꢇꢇꢇꢇ  
(VCE=2.0V, IC=500mA)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=500mA,IB=50mA)  
Base-Emitter Voltage  
(IC=500mA, VCE=2.0V)  
Transition Frequency  
(VCE=10V, IC=50mA,  
f=100MHz)  
ꢉꢆ  
ꢖ
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.061  
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REF.  
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0.5  
1
V
V
---  
---  
---  
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---  
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ꢆ
130  
---  
MHz  
 ꢆ  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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