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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.08 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 15 pF | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 63 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCX55-10,115 | NXP |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN medium power transistor SOT-89 3-Pin |
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| BCX55-10-BG | ZETEX |
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SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
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| BCX55-10BK | CENTRAL |
获取价格 |
Transistor |
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| BCX55-10E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BCX55-10E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| BCX55-10LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| BCX55-10-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN medium power transistorsProduction |
|
| BCX55-10T | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN power bipolar transistorsProduction |
|
| BCX55-10T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
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| BCX5510TA | DIODES |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT89 |
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