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BCV27D87Z

更新时间： 2024-02-09 17:12:20

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	221K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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BCV27D87Z 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.66
最大集电极电流 (IC)：	1.2 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	20000
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	220 MHz	Base Number Matches：	1

BCV27D87Z 数据手册

NPN Darlington Transistor

(continued)

Electrical Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min Typ Max Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mA, I_B= 0

I = 10 A, I = 0

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector-Cutoff Current

I_E= 100 nA, I_C= 0

V_CB= 30 V, I_E= 0

V_EB= 10 V, I_C= 0

0.1

I_EBO

Emitter-Cutoff Current

ON CHARACTERISTICS

h_FE

DC Current Gain

I_C= 1.0 mA, V_CE= 5.0 V

I_C= 10 mA, V_CE= 5.0 V

I_C= 100 mA, V_CE= 5.0 V

I_C= 100 mA, I_B= 0.1 mA

4,000

10,000

20,000

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

1.0

1.5

V_CE(sat)

V_BE(sat)

I_C= 100 mA, I_B= 0.1 mA

SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS

Current Gain - Bandwidth Product

I_C= 30 mA, V_CE= 5.0 V,

f = 100 MHz

V_CB= 30 V, I_E= 0, f = 1.0 MHz

220

3.5

MHz

f_T

Collector Capacitance

C_C

Typical Characteristics

Typical Pulsed Current Gain

vs Collector Current

Collector-Emitter Saturation

Voltage vs Collector Current

250

1.6

1.2

0.8

0.4

V_CE= 5V

β = 1000

200

125 °C

150

- 40 °C

25 °C

100

25°C

125 °C

- 40 °C

0.001

0.01

0.1

100

1000

I _C- COLLECTOR CURRENT (A)

I _C- COLLECTOR CURRENT (mA)

Base-Emitter Saturation

Voltage vs Collector Current

Base Emitter ON Voltage vs

Collector Current

β = 1000

- 40 °C

1.6

1.2

0.8

0.4

1.6

1.2

0.8

0.4

- 40 °C

25 °C

125 °C

V_CE= 5V

100

1000

100

1000

I_C- COLLECTOR CURRENT (mA)

I _C- COLLECTOR CURRENT (mA)

123 4 5 6 7

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