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BCR553E6327

更新时间： 2024-11-24 14:49:55

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英飞凌 - INFINEON		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	521K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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BCR553E6327 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	6	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.33 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

BCR553E6327 数据手册

BCR553

PNP Silicon Digital Transistor

• Built in bias resistor (R = 2.2 kΩ, R = 2.2 kΩ)

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

R₁

R₂

EHA07183

Type

BCR553

Marking

XBs

Pin Configuration

Package

SOT23

1=B

2=E

3=C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Input forward voltage

Input reverse voltage

Collector current

CEO

CBO

i(fwd)

i(rev)

500

330

Total power dissipation-

tot

T ≤ 79 °C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Symbol

Value

≤ 215

Unit

K/W

thJS

For calculation of R

please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)

thJA

2011-07-28

12 3 4 5 6

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