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BCR573E6327HTSA1

更新时间： 2024-09-27 19:55:59

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英飞凌 - INFINEON		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	526K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SOT-23, 3 PIN

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BCR573E6327HTSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	6.35
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 0.1	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

BCR573E6327HTSA1 数据手册

BCR573

PNP Silicon Digital Transistor

• Built in bias resistor (R = 1 kΩ, R = 10 kΩ)

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

R₁

R₂

EHA07183

Type

BCR573

Marking

XHs

Pin Configuration

Package

SOT23

1=B

2=E

3=C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Input forward voltage

Input reverse voltage

Collector current

CEO

CBO

i(fwd)

i(rev)

500

330

Total power dissipation-

tot

T ≤ 79 °C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Symbol

Value

≤ 215

Unit

K/W

thJS

For calculation of R

please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)

thJA

2011-07-28

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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